台积电2nm工艺研制发展超预期 将选用盘绕栅极晶体管技能

  ICC讯 9月22日音讯，据国外新闻媒体报导，在5nm工艺本年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研制要点就将是更先进的3nm和2nm工艺。

  在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家泄漏，他们3nm工艺的研制正在按方案推动，仍将选用老练的鳍式场效应晶体管技能(FinFET)，方案在下一年危险试产，2022年下半年大规模投产。

  与屡次提及的3nm工艺不同，台积电现在并未发布太多2nm工艺的音讯，在近几个季度的财报分析师电话会议上均未曾提及。

  尽管台积电方面未对外发布2nm工艺的音讯，但外媒征引产业链的人悄悄表明的音讯，仍是进行过屡次报导。

  在最新的报导中，外媒征引产业链音讯人士的泄漏报导称，台积电2nm工艺的研制发展超出预期，快于他们的方案。

  这一音讯人士还泄漏，台积电的2nm工艺，不会持续选用老练的鳍式场效应晶体管技能，而会选用盘绕栅极晶体管技能(GAA)。

  在此前的报导中，外媒提及的与台积电2nm工艺相关的信息，呈现过两次，均是在8月底。其一是台积电已在策划2nm工艺的芯片出产工厂，将建在总部地点的新竹科学园区，台积电担任营运安排的资深副总经理秦永沛，泄漏他们已获得了建厂所需的土地。第2次是在上月底的台积电2020年度全球技能论坛上，他们泄漏正在同一家首要客户严密协作，加速2nm工艺的研制发展，相关的出资也在推动。