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  储能BMS芯片市场悄然爆发 英彼森推出Himalaya芯片捕捉市场机会

  今年以来，储能市场持续大热。电池企业宁德时代、比亚迪、晶科能源等企业先后布局储能系统，带动上游产业链的需求上涨，储能BMS芯片市场需求带旺。   近日，在2023年大湾区数字能源产业高峰论坛上，来自英彼森半导体公司的产品经理熊斯发表了主题为《电池管理中的高性能数模混合芯片方案》的演讲。他重点介绍了储能BMS芯片市场的技术走向和市场需求，以及英彼森推出的适用于储能市场的旗舰BMS芯片产品。   全球BMS市场未来3年快速地增长，储

  电子发烧友网报道（文/刘静）12月6日，半导体材料领域又一家优秀的国产企业在科创板成功上市。作为一家半导体材料商，江苏艾森半导体材料股份有限公司（以下简称：艾森半导体）自2010年成立以来，抓住半导体市场机遇快速成长。 今天艾森半导体正式成为昆山市第9家科创板上市企业，上市后将为企业未来发展，提供非常强劲的资本加持。在上市仪式上，艾森半导体董事长张兵也表示，“充分的发挥长期资金市场给我们的资金优势，助力国产半导体材料的

  电子发烧友网报道（文/莫婷婷）今年第二季度以来，可穿戴设备市场持续迎来一定规模的增长。国际调查研究机构Canalys的多个方面数据显示，今年第三季度全世界智能可穿戴腕带设备出货量同比增长4%；全球真无线耳机（TWS）的出货量增长也达到了3.9%。市场在持续增长，但全球五大厂商在市场的表现却不太一样。   先看腕带设备。多个方面数据显示，全球可穿戴腕带设备的出货量达到5100万台，排名前五的厂商分别是苹果、小米、华为、三星、Fire Boltt。 苹果虽占据全球17%的市

  数据中心通常依靠高频功率转换来有效地分配和管理电力，而SiC MOSFET具有低开关损耗和快速开关速度，可实现高频操作。

  如之前的介绍用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术及晶圆级封装中的窄间距RDL技术及应用]技术通常用于芯片封装中的信号和电源引脚映射，用于实现芯片与封装之间的连接。然而，对于高功率应用，尤其是需要传输大电流或高功率的电路，额外的考虑和技术措施是必要的。

  相位噪声是振荡器在极短的时间内频率稳定度的度量参数。它来源于振荡器输出信号由噪声引起的相位、频率的变化。频率稳定度分为两个方面：长期稳定度和短期稳定度，其中，短期稳定度在时域内用艾伦方差来表示，在频域内用相位噪声来表示。

  在化学工业中，保持精确的温度控制对于优化反应速率、确定保证产品质量和确保安全操作至关重要

  上篇文章提到用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术Redistribution layer, RDL 的基本概念是将 I/O 焊盘的位置分配到芯片的其他位置，即用RDL转接到锡球焊接的着陆焊盘位置。

  Redistribution layer (再分布层，RDL)，是添加到集成电路或微芯片中以重新分配电气连接的金属层。这种RDL技术是一种用于集成电路（IC）的先进封装解决方案，允许将多个芯片集成到单个封装中。它是在介电层顶部创建图案化金属层的过程，该金属层将 IC 的输入/输出 （I/O） 重新分配到新位置。新位置通常位于芯片的边缘，这允许使用标准表面贴装技术 （SMT） 将 IC 连接到印刷电路板 （PCB）。RDL 技术使设计人员能够以紧凑、高效的方式放置芯片，由此减少器件的整体尺寸。

  半导体器件的制造由许多步骤组成，这些步骤必须产生定义明确的结构，并且从一个器件到下一个器件的偏差很小。每一步都一定要考虑之前和随后的制造步骤，以确保实现所需的高制造质量。大多数过程都是在真空腔室中通过引入不同的气态化学物质进行的，这些化学物质通过与基材反应来改变表面。IC最小特征的形成被称为前端制造工艺（FEOL），本文将集中简要介绍这部分，将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 FinFET 的工艺流程，解释了 FEOL 制作的完整过程中最重要的工艺步骤。

  衬底:NPN双极晶体管的基础是p掺杂(硼)硅衬底，上面沉积了厚氧化层（600 nm）。

  电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2021年，Arm 通过与汽车供应链领先企业展开协作，推出了一个软件架构和参考实现——面向嵌入式边缘的可扩展开放架构SOAFEE（Scalable Open Architecture for Embedded Edge）。2023年Arm Tech Symposia上海站，SOAFEE再一次成为这场技术盛会谈论的重点之一。   两年时间过去了，Arm在推广SOAFEE方面取得了斐然的成绩，让“软件定义汽车”不再是一句口号，而是汽车产业升级的法宝。   SOAFEE的三大价值 回顾2021年时的发布，Arm公司表示推进